曾任世界一流研发中心-比利时微电子中心imec -氮化镓器件研发组组长。毕业于比利时鲁汶大学并获得博士学位。自2012年始，深度参与并领导imec GaN器件研发。全球首发了200mm CMOS兼容的650V GaN 横向晶体管，且通过工业级别可靠性验证。基于MVSG模型，为imec GaN器件建立了物理紧凑模型，开发了GaN集成电路设计平台的PDK。欧盟项目UltimateGaN课题负责人，开发1200V GaN 垂直器件 及 应用于Lidar 的100V GaN 横向器件。

受邀报告：https://esref2021.sciencesconf.org/resource/page/id/8.html?lang=en

所获荣誉：爱游戏体育平台赞助意甲出任欧冠联赛官方合作伙伴级人才，省级人才，广州市最美科技工作者，黄埔区最美科技工作者。

社会兼职：国际可靠性顶会IRPS 技术委员会委员 （IRPS Management & Technical Committees — IRPS）

研究方向

• GaN器件制造及器件机理研究

• 氮化镓集成电路设计

• 器件物理紧凑模型

• 氮化镓宽禁带半导体电力电子器件与可靠性

imec美好回忆：

16年imec爱游戏体育平台赞助意甲出任欧冠联赛官方合作伙伴加工作，多年共事的同事临别赠言留在了这张晶圆上。我猜测每位同事写下了描述我的形容词，然后出现概率胜出的三个形容词印在了这张晶圆上。我觉得像我，像我，像我。希望找到同频的同学加入我的团队。

西电足迹：

2026年将课题组第一批毕业生输送给爱游戏体育平台赞助意甲出任欧冠联赛官方合作伙伴了。再沾沾爱游戏体育平台赞助意甲出任欧冠联赛官方合作伙伴的光，我们专业团队欢迎同样优秀的你加入。2027年招博士一名。

团队介绍：6名在读博士研究生，16名在读硕士名硕士研究生。目前在研方向有GaN单片集成电路设计研究，垂直GaN器件制造技术研究，GaN器件可靠性提升技术研究，高性能GaN器件测试技术研究，GaN器件可靠性测试技术研究， Ga2O3器件制造技术研究。